大基金持续支持自主功率半导体发展 士兰微等受益

随着2014年国务院颁布《国家集成电路产业发展推进纲要》，并设立国家集成电路产业基金（大基金），半导体产业技术研发推进至国家高度。大基金一期（2014.9~2018.5）已经投资完毕，投资总额达到1,387亿元，累计投资项目70余个，涉及公司52家。大基金二期于2019年10月22日成立，注册资本2,041.5亿元，根据此前有关报道，大基金二期将进一步支持龙头企业做大做强，提升成线能力，同时还将此续推进国产装备材料的下游应用。

功率半导体是大基金支持的重要领域之一。2016年2月，士兰微公告与大基金共同投资建设8英吋芯片生产线，该项目于2017年6月正式投产，导入了高压集成电路、高压MOSFET、低压MOSFET、肖特基管、IGBT等多个产品量产，2018年总计生产29.86万片，2019上半年增长至17.6万片。2019年8月，士兰微公告与大基金共同追加投资，建设8吋线二期项目。项目完全达产后，将新增高压集成电路12万片/年、功率半导体器件芯片26.4万片/年、MEMS芯片4.8万片/年，预计新增年销售收入9.66亿元，年利润总额2.08亿元。

大基金还撬动多个省市成立区域集成电路产业基金，据统计，至2019年5月，各个地方集成电路基金累计规模已经超过5,800亿元。2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团计划共同投资220亿元，在厦门规划建设两条12吋90~65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6吋兼容先进化合物半导体器件生产线；前者包括硅基功率半导体芯片和MEMS传感器芯片，后者定位在高端LED芯片、第三代功率半导体器件和光电模块。目前，12吋线厂房已结顶，正在进行净化厂房装修和机电设备安装，预计今年四季度进入试生产阶段；后者已经在2019年四季度开始进入试生产。

2019年10月8日，工信部在答复政协十三届全国委员会民进9组的《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》表示：“工业半导体材料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国家经济发展”。

工信部表示，近年来先后推出多项政策推动关键技术攻关：一是于2017年推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图（2018-2030）》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。

（怀新投资）